我今天烘焙FET 2SK2850,如何使用数字万用表?

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2006-11-0208:30:30
首先,测量FET结。
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确定FET电极。
首先,决定管门。
将万用表放在R x 100上,将黑色笔连接到电子管的一个电极上,然后用红色铅笔依次触摸另外两个电极。
如果测量的电阻值很大,则表示P通道。
并且黑色笔连接到门。
如果测得两次的电阻低,则为通道N.这意味着黑色仪表连接到门。
如果没有发生这种情况,可以如上所述更换和测量其他电极,直到确定门为止。
由于结型场效应晶体管的源极和漏极在制造时通常是对称的,因此它们可以互换使用,使得栅极和漏极不能被切断并且它们之间的电阻不会改变。可以。
源极和漏极是正常的,数千欧姆。
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估算FET的放大容量。
将时钟设置为R×100,将黑色笔连接到D漏极,并将红色笔连接到S源。
此时,指示器显示漏极和源极之间的电阻。
如果用手握住门G,针会旋转很大。
振动越大,管越强。
短手旋转削弱了管子自我放大的能力。
如果针没有移动,则管的缩放功能已丢失。
接下来,测量MOS FET。
AGC电压通常被添加到最常用于双擦除结构的MOSFOS中,该擦除结构可以控制沟道电流,S源附近的G1栅极和D漏极附近的栅极控制栅极G2。

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确定FET电极。
将手表放在R×100文件中,并使用红色和黑色测试引线测量引脚之间的电阻。
极D和极2之间的电阻仅为几十至几千欧姆。
其他引脚之间的电阻是无限的。
找到D和S极后,使用开关测量两个电极之间的电阻。
在第一次测量高电阻时,黑电表连接到电极D.
红笔连接到杆S.
极S附近的门是信号门G1,极D附近的门是控制门G2。
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估算FET的放大容量。
将时钟设置为R×100,将黑色笔连接到D漏极,并将红色笔连接到S源。
此时,指示器显示漏极和源极之间的电阻值。
用手握住设备的绝缘手柄,用金属杆触摸网格。
针必须以很大的幅度转动。
速度越快,放大倍数越大。
如果针的旋转很小,则增加很小。
如果手不动,放大率将会丢失。
MOS场效应晶体管不能用于保持栅极以防止MOS晶体管的栅极被损坏。
三,VMOSFET对策(以GrooveN为例)
VMOSFET是功率管
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确定FET电极。
将仪表放在Rx1K文件中并测量三个电极之间的电阻。
测量一个电极和另外两个电极的电阻。
在无限远处,当测量仪表时,电阻值仍然是无限的。
这是G的大门
该测量方法仅适用于没有保护二极管的VMOS管。
将手表放在R×1K文件中,首先将VMOS管的3个电极短路,然后用替换笔测量电阻两次。
在具有高电阻的单次测量中,黑色铅笔连接到漏极D,红色铅笔连接到源极S.
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估算FET的放大容量。
将手表放在Rx10K文件上,将红笔连接到喷泉,将黑色笔连接到排水管并手动推动门。
管的阻力必须显着改变。
变化越大,管的跨导越大。